<< Ноябрь 2017 >>
  Пн. Вт. Ср. Чт. Пт. Сб. Вс.
>  30  31 1 2 3 4 5
> 6 7 8 9 10 11 12
> 13 14 15 16 17 18 19
> 20 21 22 23 24 25 26
> 27 28 29 30  1  2  3








Особенности ремонта транзисторов в бытовой электронике



При разработке, ремонте и повседневной работе полупроводникового оборудования необходимо знать ее элементарные параметры. Высокая надежность радиотехники может быть обеспечена максимально при контроле таких важных факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная нестабильность и зависимость свойств от режима работы и изменение параметров полупроводников в процессе использования.

Полупроводниковые приборы сохраняют свои характеристики в установленных пределах в условиях эксплуатации и хранения, характерных для различных видов и классов техники. Условия работы аппаратуры могут колебаться в обширных пределах. Эти условия можно охарактеризовать внешними центробежными силами и климатическими параметрами (температурными и др.).

Общие условия, справедливые для всех полупроводниковых приборов, предназначенных для использования в оборудовании связи определенного класса, есть в общих технических требованиях. Нормы на значения основных характеристик и специфические задания, относящиеся к конкретному типу транзистора, есть в конкретных технических требованиях.

Для простоты разработки и ремонта аппаратуры, важные характеристики транзисторов и их даташиты находятся в справочнике. К достоинствам электронного справочника необходимо отнести его общедоступность, пополняемость, быстрый поиск требуемого полевого транзистора по имени или мгновенный поиск аналогов.

Под действием неблагоприятных факторов климата некоторые параметры транзисторов и свойства будут меняться. Для надежной защиты полупроводниковых структур от внешних воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление биполярных транзисторов рассчитано на их использование в составе средств спутниковой связи при заданных допустимых условиях использования. Надо знать, что корпуса полупроводниковых приборов, к сожалению, имеют предел по герметичности. Поэтому при эксплуатации транзисторов в электротехнике, предназначенной для работы в условиях высокой влажности, платы с расположенными на них электронными элементами следует обрабатывать лаком не менее чем в три слоя.

Все большее распространение находят так называемые бескорпусные элементы, разрабатываемые для использования в микросхемах и микросборках. Кристаллы данных элементов защищены особым слоем, но он не дает отличной обороны от действия окружающей среды. Защита максимизируется общей герметизацией всей микросборки.

Чтобы обеспечить долголетнюю и качественную функционирование бытовой электроники, разработчик должен не только учесть характерные особенности биполярных транзисторов на этапе разработки техники, но и объявить должные условия ее применения и хранения.

Биполярные транзисторы - элементы универсального применения. Они могут быть без нареканий использованы не только в классе приборов, для которых они разработаны, но и в любых других аппаратах. Но матрица параметров и характеристик, расположенных в Интернет справочнике, соответствует первоочередному назначению транзисторов. В справочнике есть значения параметров полевых транзисторов, гарантируемые техническими условиями для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий график транзистора в ремонтируемом аппарате нередко отличается от того режима, для которого есть параметры в ТУ.

Значения большинства параметров транзисторов зависят от рабочего режима и температуры, причем с увеличением температуры зависимость параметров от режима видно более сильно. В хорошем справочнике приведены типовые (усредненные) значения характеристик транзисторов от тока, напряжения, влажности, частоты и т. п. Эти зависимости должны использоваться при нахождении типа транзистора и предварительных расчетах, так как значения характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Данный интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, стоящим в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.

При ремонте радиотехники нужно стремиться обеспечить их эффективность в возможно более больших интервалах изменений важнейших свойств транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их колебание во времени при настройке могут быть учтены вычислительными методами или эмпирически — методом граничных испытаний.

Полевые транзисторы с управляющим n-p переходом эксплуатируются в режиме обеднения p-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении потенциала затвор - исток от нулевого значения до напряжения отсечки тока стока.

В отличие от трехполюсников с управляющим р-n переходом, у которых функциональная область составляет от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы сохраняют большое входное сопротивление при различных значениях напряжения на затворе, которое ограничено напряжением пробоя изолятора затвора.

При потребности применения транзисторов для выполнения функций, отличных от основного предназначения, вывод о возможности их применения в желаемых режимах может быть сделан после измерения параметров трехполюсников в этих режимах, проведения соответствующих испытаний и согласования их параметров в соответствии со стандартами.

Не рекомендуется использование трехполюсников при применяемых токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур.

''
Связанные статьи

Оценка статьи






Оставить комментарий

Вы не можете оставлять комментарии.